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              IPW65R045C7FKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:ID:70A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:44mR 參數4:VGS:-8/+20V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續漏極電流能力,漏源擊穿電壓為650V,導通電阻RDS(ON)為44mΩ,柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。其寬驅動電壓范圍有助于提升開關可靠性,低導通電阻可有效降低導通損耗,適用于高效率、高頻率的功率轉換系統,如服務器電源、光伏逆變器及儲能設備中的直流-直流或直流-交流變換環節。

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