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              IPW65R041CFD7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-247
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：30/管裝
                                                        參數1：ID:70A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:44mR
                                                        參數4：VGS:-8/+20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為44mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。其結構利用碳化硅材料特性，在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換系統，如通信電源、可再生能源并網設備及高密度電力電子模塊。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式