SIHW64N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻為44mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開(kāi)關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)具備良好的熱導(dǎo)性能和穩(wěn)定性。適用于高效率電源系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換裝置以及對(duì)功率密度和能效有較高要求的電力電子應(yīng)用場(chǎng)合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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