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              TK35A65W5,S5X_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:24A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:95mR 參數4:VGS:-8/+20V 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              該N溝道碳化硅MOSFET額定漏源電壓(VDSS)為650V,連續漏極電流(ID)達24A,導通電阻(RDS(ON))為95mΩ,柵源電壓(VGS)工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝,具備低開關損耗與高耐壓特性,適用于高頻、高效率的電源轉換系統。其寬柵壓范圍提升了驅動兼容性,同時在高溫環境下仍能保持穩定電氣性能,適合對體積與能效有較高要求的應用場合。

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