TK35A65W,S5X_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:18A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和18A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓、低導通損耗及優異的高頻特性，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換系統。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性與可靠性，在高頻開關應用中可有效降低整體功率損耗。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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TK35A65W,S5X_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:18A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢