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              STF34N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:18A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:94mR 參數4:VGS:-10/+25V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道碳化硅MOSFET具備18A的漏極電流能力,漏源電壓額定值為650V,導通電阻為94mΩ,柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。其采用碳化硅材料,具有優異的高頻開關特性和較低的導通損耗,在高效率電源轉換、可再生能源系統及高性能計算電源管理等場景中可有效提升系統能效與功率密度。器件結構支持快速開關動作,有助于減小無源元件體積并優化整體布局。

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