NTBL050N65S3H-HXY_TOLLS_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有63A的連續(xù)漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為58mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換場景。其低導(dǎo)通電阻有助于減小導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效，同時寬柵壓范圍增強了驅(qū)動兼容性與可靠性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTBL050N65S3H-HXY_TOLLS_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢