FCPF099N65S3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有24A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為95mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料優(yōu)勢，在高頻開關(guān)應(yīng)用中展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，并具備良好的高溫工作能力。適用于高效率電源系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)備以及對熱管理與體積有較高要求的功率電子模塊，有助于實現(xiàn)緊湊且高效的電路設(shè)計。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FCPF099N65S3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢