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              IMT65R060M2HXUMA1-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TOLLS
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：2000/圓盤
                                                        參數1：ID:63A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:58mR
                                                        參數4：VGS:-10/+25V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET具有63A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為58mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，在高頻開關操作中展現出較低的導通損耗與優異的熱性能，適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統。其低RDS(on)有助于降低功耗，提升能效，而寬VGS范圍則增強了與多種驅動方案的兼容性，適合用于對可靠性和緊湊性有較高要求的電力電子應用。
                              
              
            
              
            
              
                
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