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              IPP100N10S305AKSA1-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220C 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:120A 參數2:VDSS:100V 參數3:RDON:4.1mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道場效應管(MOSFET)具有120A的連續漏極電流(ID)和100V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))低至4.1毫歐。其高電流承載能力與低導通損耗特性,適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換及功率管理場景。器件結構支持快速開關操作,在高頻工作條件下仍能保持較低的功率損耗,適合用于各類高效能電子系統中的功率開關功能。

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