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              TK115U65Z5,RQ_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TOLLS 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:2000/圓盤 參數1:ID:36A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:94mR 參數4:VGS:-10/+25V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道碳化硅MOSFET具備36A的連續漏極電流能力,漏源擊穿電壓為650V,導通電阻典型值為94mΩ,柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高熱導率與寬帶隙特性,在高頻開關操作中保持較低損耗和良好熱穩定性。適用于對效率、體積和熱管理有較高要求的電源轉換系統,如服務器電源、光伏逆變器及高頻DC-DC變換器等場合。

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