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IPBE65R099CFD7AATMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：ID:34A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具有34A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為95mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的應用場景，如數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變系統(tǒng)以及高頻率AC-DC或DC-DC轉換器等。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:34A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：ID:34A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢