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              STF40N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-220F
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：50/管裝
                                                        參數1：ID:24A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:95mR
                                                        參數4：VGS:-8/+20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），在25℃條件下導通電阻（RDS(ON)）典型值為95mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于高效率、高頻開關場景。器件憑借碳化硅材料特性，在高溫與高壓環境下仍能保持穩定電氣性能，適合用于對能效和功率密度要求較高的電源轉換系統中。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式