GHXS100B065S-D3-HXY_SOT-227_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅二極管最小包裝：13/管裝參數1：IF:250A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.4V 參數4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該碳化硅二極管具有250A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降（VF）為1.4V，反向漏電流（IR）低至100μA。其非重復浪涌正向電流（IFSM）可達600A，展現出良好的瞬態過載承受能力。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關和高溫環境下仍能維持穩定的電氣性能，適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統及對熱管理要求較高的電力電子應用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GHXS100B065S-D3-HXY_SOT-227_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅二極管 最小包裝：13/管裝 參數1：IF:250A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.4V 參數4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅二極管最小包裝：13/管裝參數1：IF:250A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.4V 參數4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢