IMZA65R007M2HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:355A 參數(shù)2：VDSS:750V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具備355A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為750V，導通電阻低至5mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強與優(yōu)異熱導率，在高功率密度和高頻開關應用中表現(xiàn)出極低的導通損耗與良好的熱穩(wěn)定性。適用于對效率、體積和動態(tài)響應有嚴苛要求的電源系統(tǒng)及能量轉換裝置，其寬柵壓范圍也增強了與多種驅動電路的兼容性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:355A 參數(shù)2：VDSS:750V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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