XP65SL190DI_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具備20A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為160mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強(qiáng)和低導(dǎo)通損耗特性，適用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如開關(guān)電源、光伏逆變器及儲能設(shè)備等。其寬柵壓范圍提升了驅(qū)動兼容性，同時有助于簡化門極驅(qū)動電路設(shè)計。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

XP65SL190DI_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢