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              TSF65R300_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:15A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:260mR 參數4:VGS:-5~+16V 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              該碳化硅場效應管為N溝道結構,最大漏極電流ID為15A,漏源擊穿電壓VDSS達650V,導通電阻RDS(ON)為260mΩ,柵源驅動電壓范圍VGS為-5V至!6V。器件采用碳化硅材料,具備高耐壓與低導通損耗特性,適用于對效率和熱性能要求較高的電力轉換場景。其寬驅動電壓范圍有助于提升系統兼容性,同時在高頻開關條件下仍能保持穩定工作狀態,適合用于各類高效電源管理與能量轉換系統中。

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