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              TSF65R360S2_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:15A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:260mR 參數4:VGS:-5~+16V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A,最大漏源電壓達650V,導通電阻典型值為260mΩ,柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件采用碳化硅材料,具備高耐壓、低導通損耗及優異的高溫穩定性,適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景。其電氣特性適合用于高頻開關應用,有助于提升系統整體能效與響應速度。

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