日韩成人无码毛片,中文字幕一区二区三区擦澡,jizz免费,www.com黄色,多p在线观看,69国产,探花无码,上海集散中心旅游官网订票

^{<blockquote id="vmtx1"></blockquote>}

歡迎訪問深圳市中小企業公共服務平臺電子信息窗口

登錄| 注冊

PJD8NA65A_L2_00001_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道碳化硅MOSFET具備900V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為712mΩ，柵源電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高電壓應用中展現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適用于高頻開關電源、光伏逆變器及高效率電能轉換系統等場景，可在較高工作溫度下維持可靠性能。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PJD8NA65A_L2_00001_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢