TSM080NB03CR RLG_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道MOSFET支持80A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至4.7毫歐，柵源電壓額定值為20V。其極低的導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體效率，適用于高電流密度的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及高頻開(kāi)關(guān)電路等應(yīng)用。器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)兼顧熱性能與電氣特性，適合在緊湊型電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效能運(yùn)行。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

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