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              NVTFS4C06NWFTWG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:70A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:3.5mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道MOSFET的連續漏極電流(ID)為70A,漏源擊穿電壓(VDSS)為30V,導通電阻(RDS(ON))低至3.5毫歐。憑借其高電流承載能力和極低的導通損耗,該器件適用于對效率和熱性能要求較高的場合,如開關電源、電機驅動模塊、電池充放電控制及高密度功率轉換系統。其電氣特性有助于在高頻開關操作中維持穩定性能,并減少能量損耗。

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