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              SI7388DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:60A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:5.7mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流(ID)和30V的漏源電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))為5.7毫歐。低導通電阻有助于在高電流工作條件下顯著降低功率損耗與溫升,提升系統效率。器件適用于對能效和熱性能要求較高的中低電壓開關應用,例如電源轉換、電機驅動、電池管理系統及各類電子負載控制電路,能夠可靠支持頻繁開關操作與持續大電流傳輸。

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