STD7N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:5.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+19V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道碳化硅MOSFET具備5.3A的連續漏極電流，最大漏源電壓為650V，導通電阻為820mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至!9V。采用碳化硅材料，器件在高耐壓基礎上實現了較低的導通損耗，并具有良好的高溫穩定性和快速開關能力。適用于對體積、效率及熱性能有較高要求的電源轉換系統，尤其適合高頻運行環境下的功率開關應用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD7N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+19V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:5.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+19V 標價：歡迎咨詢