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              NVMFS5C426NWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN5X6-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:219A
                                                        參數2：VDSS:40V
                                                        參數3：RDON:1.2mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為40V，最大連續漏極電流（ID）達219A，在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）僅為1.2毫歐。如此低的導通電阻有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。器件適用于高電流、高頻率的開關應用，如電源管理模塊、電機控制電路以及大功率直流轉換系統等場合。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式