STD100NH03LT4-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為5毫歐。低RDS(ON)有助于顯著降低導通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率，并減少散熱需求。其高電流承載能力和低阻抗特性使其適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、便攜式設(shè)備供電以及各類需要頻繁開關(guān)操作的電子電路中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

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聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD100NH03LT4-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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