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              OSG65R360DEF_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-252-2L
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：2500/圓盤
                                                        參數1：ID:15A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:260mR
                                                        參數4：VGS:-5~+16V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具備低開關損耗與高效率特性，適用于高頻開關電源、光伏逆變器、不間斷電源及高密度電力轉換系統等場合，在提升系統整體能效和減小體積方面具有顯著優勢。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式