DMG7702SFG-7-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:35A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該N溝道MOSFET額定漏極電流為35A，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻典型值為7.5毫歐，在低電壓應(yīng)用中可有效降低導(dǎo)通損耗。器件適用于對(duì)效率和熱性能有要求的電源管理場(chǎng)合，如開(kāi)關(guān)電源、負(fù)載開(kāi)關(guān)及便攜式設(shè)備的功率控制模塊。其參數(shù)組合兼顧電流承載能力與導(dǎo)通特性，適合在緊湊型電路設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效能量傳輸。

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深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

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