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              TK55D10J1(Q)_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220C 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:70A 參數2:VDSS:100V 參數3:RDON:8.5mR 參數4:VGS:20V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道MOSFET具備70A的連續漏極電流能力,漏源電壓額定值為100V,導通電阻低至8.5毫歐,在柵源電壓最高達20V的驅動條件下可穩定工作。其低RDS(ON)特性有助于減少導通損耗,適用于高效率電源管理、電機控制及高頻開關電路等場景,能夠在大電流和較高電壓環境下維持良好的熱性能與可靠性。

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