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              MCAC9D6N06YL-TP_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:65A 參數2:VDSS:60V 參數3:RDON:8mR 參數4:VGS:20V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道場效應管(MOSFET)具有65A的連續漏極電流能力,最大漏源電壓為60V,導通電阻低至8毫歐,柵源驅動電壓最高可達20V。其低導通電阻有助于減少導通損耗,提升系統效率,適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉換、電機驅動及高頻開關等應用場景。器件結構支持快速開關特性,在高負載條件下仍能保持穩定工作,適合用于各類高效能電子設備中的功率管理與控制模塊。

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