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              IRF8113GTRPBF-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：SOP-8
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：3000/圓盤
                                                        參數1：ID:18A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:5mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道場效應管（MOSFET）具備18A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。低導通電阻有效降低導通損耗，提升系統效率，適用于高電流、高頻率的開關應用場景。其電氣特性適合用于電源轉換、電池管理系統、便攜式設備供電以及各類需要高效能功率控制的電子裝置中。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式