AONR36329_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:9mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有30A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至9mΩ。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、開關(guān)轉(zhuǎn)換及負(fù)載控制等場景。器件結(jié)構(gòu)支持高速開關(guān)操作，在各類電子系統(tǒng)中可實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的功率切換功能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AONR36329_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:9mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

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