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              IRFH7191TRPBF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:75A 參數2:VDSS:100V 參數3:RDON:6.4mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道場效應管(MOSFET)具有75A的連續漏極電流(ID)和100V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))為6.4毫歐。其低導通電阻有助于減少功率損耗并提升系統效率,同時支持較高的電流密度。適用于需要高效率、高功率密度的電源管理場景,如數據中心供電、通信基礎設施及高性能計算設備中的直流-直流轉換與負載開關應用。

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