FDD8870-F085_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及3毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻有效降低導通損耗，提升能效，同時支持大電流持續工作。其電氣特性適合用于高效率電源轉換、大功率電池充放電控制及電機驅動等應用，在高頻開關操作中仍可維持較低溫升和穩定性能，適用于對功率密度和熱管理有較高要求的電子系統。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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FDD8870-F085_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢