BSC097N06NSATMA1_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:65A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有65A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為8毫歐，柵源驅(qū)動(dòng)電壓（VGS）最高可達(dá)20V。其低導(dǎo)通電阻有助于在大電流工作條件下有效抑制功率損耗與溫升，適用于高效率電源管理、電機(jī)控制及高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。器件結(jié)構(gòu)支持穩(wěn)定可靠的開(kāi)關(guān)性能，適合對(duì)能效和熱管理有較高要求的電子系統(tǒng)。

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深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

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