ISC052N03LF2SATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道MOSFET具備60A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至4.3毫歐，柵源驅(qū)動(dòng)電壓最高可達(dá)20V。其極低的導(dǎo)通電阻有效降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，適用于高效率、大電流的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻開(kāi)關(guān)電路等場(chǎng)合。器件在高負(fù)載條件下仍能保持良好的熱性能和穩(wěn)定性，適合對(duì)能效和空間布局有較高要求的電子系統(tǒng)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

ISC052N03LF2SATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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