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              DI045N03PT-AQ_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:70A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:3.5mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道場效應管(MOSFET)具有70A的連續漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))低至3.5毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗,提升系統效率,適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理場景。器件結構支持高電流承載能力,在開關頻率較高的應用中仍能保持穩定工作特性,適合用于各類高效能電子設備中的功率轉換與控制環節。

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