DMN39M1LK3-13-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備120A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為3毫歐。低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，有助于提升整體能效并減少散熱需求。器件適用于高電流、低電壓的開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景，如電源轉(zhuǎn)換模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及便攜式設(shè)備中的高效功率管理單元，在需要頻繁開(kāi)關(guān)操作和緊湊布局的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)穩(wěn)定可靠。

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深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

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