SI7806ADN-T1-E3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:30A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管（MOSFET）具有30A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為9毫歐。器件在中等電流水平下提供較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能有一定要求的電源開關電路。其電氣特性適合用于直流-直流轉換器、便攜式設備供電系統以及各類需要穩定功率控制的電子裝置中，具備良好的開關響應與可靠性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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SI7806ADN-T1-E3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:30A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢