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              NVTFS4C13NWFETWG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:35A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:7.5mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道MOSFET具備35A的連續漏極電流能力,最大漏源電壓為30V,導通電阻為7.5毫歐。在常規開關和功率轉換應用中,其較低的導通電阻有助于降低功耗并提升系統效率。適用于需要高電流承載能力和穩定開關性能的電源模塊、電池管理系統及各類高效能電子設備中的功率控制環節。器件在高頻操作下仍能保持良好的熱特性和電氣穩定性。

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