STD100N03LT4-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET支持100A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至3.8毫歐。憑借其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，器件在大功率開關(guān)應(yīng)用中可顯著降低導(dǎo)通損耗與發(fā)熱。適用于高頻開關(guān)電源、電機驅(qū)動、電池保護電路及高效率功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等場合，能夠在緊湊布局下維持良好的熱性能與電氣穩(wěn)定性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD100N03LT4-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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