IRFH5306TRPBF-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有50A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6.5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導(dǎo)通電阻有助于減小導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。該器件適用于對能效和熱管理有較高要求的電源管理應(yīng)用，如開關(guān)電源、電池供電設(shè)備及高密度功率轉(zhuǎn)換模塊，在頻繁開關(guān)操作中可保持穩(wěn)定可靠的電氣性能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFH5306TRPBF-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢