TSM055N03PQ56 RLG_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及最大20V的柵源驅動電壓（VGS）。低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體能效，同時支持高電流應用下的穩定運行。適用于開關電源、電池管理系統、電動工具及各類高效率功率轉換設備中，能夠實現快速開關與良好的熱性能表現。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

TSM055N03PQ56 RLG_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢