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              DMN39M1LFVW-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:70A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:3.5mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道場效應管(MOSFET)具有70A的連續漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))低至3.5毫歐。器件采用標準封裝結構,適用于對導通損耗和效率要求較高的電源管理場景。其低導通電阻有助于減少發熱,提升系統整體能效,同時支持高電流密度工作,適合用于各類中低壓開關電路及功率轉換模塊中。

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