DMN3008SFG-13_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道MOSFET具有60A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至4毫歐。器件適用于對(duì)導(dǎo)通損耗和效率要求較高的功率開關(guān)場(chǎng)景，其低RDS(ON)有助于減少發(fā)熱并提升系統(tǒng)整體能效。由于具備高電流承載能力和較低的導(dǎo)通壓降，該MOSFET可有效支持多種中低壓電源管理與負(fù)載控制應(yīng)用，在需要頻繁開關(guān)或持續(xù)大電流運(yùn)行的電路中表現(xiàn)穩(wěn)定可靠。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

DMN3008SFG-13_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢