BSZ050N03MSGATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管（MOSFET）具備70A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.5毫歐。其極低的導通電阻有效降低導通損耗，適用于高效率、大電流的開關應用場景。器件在高頻開關條件下仍能保持良好的性能穩定性，適合用于電源轉換模塊、電池管理系統以及各類需要高效能功率控制的電子設備中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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BSZ050N03MSGATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢