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              NTD4960NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:ID:80A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:5mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道MOSFET具備80A的連續漏極電流能力,最大漏源電壓為30V,導通電阻僅為5毫歐。其低RDS(ON)特性可有效降低導通損耗,在高電流開關應用中維持較低功耗與溫升。適用于電源管理、直流-直流轉換器、電機驅動及各類需要高效能功率開關的電子系統,能夠支持頻繁開關操作并保持良好的熱穩定性。

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