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              GSFP0356_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN5X6-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:50A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:6.5mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道場效應管（MOSFET）具有50A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）低至6.5毫歐。其低導通電阻有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，適用于高效率電源轉換、電機驅動以及大電流開關等應用場景，能夠有效支持對熱性能和能效要求較高的電子系統設計。
                              
              
            
              
            
              
                
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