STD60N3LH5-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道MOSFET具備60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于在高電流工作條件下有效降低功率損耗與溫升，提升整體能效。適用于開(kāi)關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電動(dòng)工具及各類需要高效能功率開(kāi)關(guān)的電子設(shè)備中。其電氣特性適合在高頻或大電流應(yīng)用場(chǎng)景下穩(wěn)定運(yùn)行，滿足對(duì)緊湊布局和熱管理有要求的設(shè)計(jì)需求。

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深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

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