BT148W-600R-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數(shù)1：IT:0.8A 參數(shù)2：VDRM:600V 參數(shù)3：IGT:90uA 參數(shù)4：單向可控硅標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該單向晶閘管模塊額定通態(tài)電流IT為0.8A，重復峰值電壓VDRM可達600V，觸發(fā)電流IGT低至90μA，具備較高的電壓耐受能力和靈敏的觸發(fā)特性。器件采用單向結(jié)構(gòu)設計，適用于交流或脈沖電路中的功率控制場景。典型應用包括電源開關(guān)單元、電機調(diào)速模塊、照明調(diào)節(jié)系統(tǒng)及各類交直流驅(qū)動控制電路，適合對體積和功耗有要求的緊湊型電子設備，實現(xiàn)精確的相位控制與通斷管理。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BT148W-600R-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：1000/卷盤 參數(shù)1：IT:0.8A 參數(shù)2：VDRM:600V 參數(shù)3：IGT:90uA 參數(shù)4：單向可控硅 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數(shù)1：IT:0.8A 參數(shù)2：VDRM:600V 參數(shù)3：IGT:90uA 參數(shù)4：單向可控硅標價：歡迎咨詢