PMEG6030ELP-QX-HXY_SMAF_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:3A 參數(shù)2：VR:60V 參數(shù)3：VF:0.7V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該肖特基二極管采用獨(dú)立式配置，額定正向電流為3A，最大反向電壓為60V，正向壓降為0.7V，反向漏電流為100μA，具備較低的導(dǎo)通損耗與良好的反向阻斷能力。其非重復(fù)峰值正向浪涌電流（IFSM）可達(dá)80A，能夠應(yīng)對(duì)短時(shí)高電流沖擊。此類參數(shù)組合使其適用于開關(guān)電源整流、極性保護(hù)、高頻續(xù)流以及對(duì)效率和瞬態(tài)響應(yīng)有要求的電子電路中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：IF:3A 參數(shù)2：VR:60V 參數(shù)3：VF:0.7V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:3A 參數(shù)2：VR:60V 參數(shù)3：VF:0.7V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢